1、什么是MOS管？

MOS晶體管的英文全稱是MOSFET（MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor），即MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，屬于絕緣柵型場效應晶體管。因此，金屬氧化物半導體晶體管有時被稱為絕緣柵場效應晶體管。在一般電子電路中，MOS管廠家通常用在放大電路或開關電路中。

1、MOS管的結構；

在低摻雜濃度的p型半導體硅襯底上，通過半導體光刻和擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的N區，MOS管廠家用金屬鋁分別引出兩個電極作為漏極D和源極S。然后，一層薄的二氧化硅（SiO2）絕緣層覆蓋在漏極和源極之間的P型半導體表面，鋁電極作為柵極G安裝在該絕緣層上。這構成了N溝道（NPN型）增.強型金屬氧化物半導體晶體管。顯然，它的柵極與其他電極絕緣。

MOS管是壓控器件，需要通過壓控G管腳來控制流水線電流。最.常.用.的金屬氧化物半導體晶體管制造商是增.強型NMOS晶體管。而且大部分MOS管廠家都是用電壓來控制G的電壓，因為它的開啟電壓一般是2-4V，但是想要完全控制的話，這個值需要提升到10V左右。

方法：控制電壓和參考電壓同時進入電壓比較器。比較器的輸出通過一個5.1K電阻連接到G引腳。如果控制電壓高于參考電壓，則控制金屬氧化物半導體晶體管的輸出電流。

可以參考采樣電阻，即在大功率MOS器件上接一個大功率小電阻，然后接地。電阻采用電流采樣，電流通過電阻形成電壓，放大后作為參考。

一開始，因為MOS管廠家的電流比較小，所以控制電壓要高于參考電壓。此時G腳基本為12V，可以快速導通MOS管。短時間后，當電流逐漸增.大到一定值時，參考電壓迅速上升，接近并超過控制電壓，比較器輸出低電平，使MOS管截止，電流減小。當電流減小時，參考電壓減小，再次開啟時，電流反.復.增.大.。

為了精確控制MOS晶體管，需要用數模輸出代替控制電壓。以前，輸出電流精度等級為10-2000mA，步長為1mA，正負1mA。